​山大奚宝娟/宋克鹏AEM:B掺杂诱导的界面化学实现快速、稳定的钠存储

​山大奚宝娟/宋克鹏AEM:B掺杂诱导的界面化学实现快速、稳定的钠存储

在电极-电解质界面构建稳定的固体电解质界面(SEI)对于优化电池性能至关重要。然而,与界面化学相关的研究特别关注电解质工程,而忽视了调节电极材料。

​山大奚宝娟/宋克鹏AEM:B掺杂诱导的界面化学实现快速、稳定的钠存储

在此,山东大学奚宝娟、宋克鹏等人通过简单有效的化学还原反应制备了硼掺杂的Bi互连纳米粒子(B-Bi)。B掺杂有助于催化电解液分解并在电极表面形成更多NaF,从而有利于稳定均匀的SEI并增强电极机械稳定性。

具体而言,该种坚固的SEI层可以抑制电解质的进一步分解并促进界面Na转移。B-Bi 在 1.0 A g−1 时提供 403.1 mAh g−1 的可逆容量,在 80 A g−1 时提供 203 mAh g−1 的高倍率性能。

​山大奚宝娟/宋克鹏AEM:B掺杂诱导的界面化学实现快速、稳定的钠存储

图1. SEI 表征

总之,该工作开发了一种新颖的 B 掺杂策略,在 Bi 表面构建稳定的 SEI 层作为 SIBs 负极材料。所形成的 B-Bi 材料表现出高倍率性能(在 80 A g−1 下为 203 mAh g−1)和出色的可逆容量(在 1.0 A g−1 下循环 2500 次后为 403.1 mAh g−1)。

同时,B-Bi 在 5.0 A g−1 下循环 5000 次后表现出高的 CE,约为 100%。B掺杂不仅改变Bi的电荷分布,有效增强Na扩散动力学,而且调节界面化学,促进NaPF6中的P-F键和DME中的C-O键分解,从而形成高度稳定的富含 NaF 的 SEI。同时,也可以通过 HRTEM 和 XPS 分析提供进一步的演示,并通过 DFT 计算进行确认。

此外,通过计算验证了 B 掺杂方法在促进 Sb 材料作为 SIBs 负极的稳定 SEI 方面是可行的。因此,该项研究开辟了一条通过配置电极材料构建稳定SEI层来调节界面化学的新途径。

​山大奚宝娟/宋克鹏AEM:B掺杂诱导的界面化学实现快速、稳定的钠存储

图2. DFT计算

Robust Interfacial Chemistry Induced by B-Doping Enables Rapid, Stable Sodium Storage, Advanced Energy Materials 2023 DOI: 10.1002/aenm.202302825

原创文章,作者:科研小搬砖,如若转载,请注明来源华算科技,注明出处:https://www.v-suan.com/index.php/2023/12/07/77dd044e89/

(0)

相关推荐

发表回复

登录后才能评论