同一天投稿，同一天发表！Science背靠背报道这一材料的突破！

2018年，实验证明了立方砷化硼（c-BA）的预测高室温导热系数（κ），>1300 W m⁻¹ K⁻¹。大约在同一时间，还预测c-BA的载流子迁移率也很高，电子为1400 cm² V⁻¹ s⁻¹，空穴为2100 cm² V⁻¹ s⁻¹。后来，还预测了在1%的小应力下，空穴迁移率更高，>3000 cm² V⁻¹ s⁻¹。

这种高载流子迁移率是由于电子-声子相互作用弱和小有效质量。与预测c-BA导热系数的计算一样，这些计算基于晶体质量高、杂质含量非常低的非缺陷c-BA。同时具有高导热性和载流子迁移率，使c-BA成为电子和光电子学许多应用的有前途的材料。尽管有这种潜力，但高迁移率尚未经过实验验证。

然而，就在2022年7月21日这一期的Science中，背靠背发表了两篇文章，来报道c-BA高迁移率的实验验证。

通讯作者：国家纳米科学中心刘新风，休斯敦大学Jiming Bao，休斯顿大学任志锋。

本文使用泵浦探测瞬态反射镜来监测光激发载流子在单晶c-BA中的扩散，以获得其迁移率。使用近带隙600 nm泵脉冲，作者发现1550±120 cm² V⁻¹ s⁻¹的高双极迁移率，与理论预测非常吻合。在同一地点使用400 nm泵的其他实验显示，迁移率>3000 cm² V⁻¹ s⁻¹，作者将其归因于热电子。高载流子迁移率的观察，结合高热导率，使c-BAs在高性能电子和光电子领域的大量器件应用成为可能。

通讯作者：MIT陈刚，休斯顿大学任志锋。

作者使用光学瞬态光栅（TG）方法来测量c-BA单晶同一点的电导率和导热性。在室温下，作者实验测量到了1200 W m⁻¹ K⁻¹的导热性和1600 cm² V⁻¹ s⁻¹的双极迁移率。通过从头计算，作者表明电离杂质具有很强的载流子散射，而中性杂质主要造成来热导率的降低。这些发现将c-BA确定为唯一已知的具有这种理想性能组合的半导体，并将其列为下一代微电子应用的理想材料之一。

两篇文章的通讯作者中，都有休斯顿大学任志锋，让我们不禁怀疑他们是相约好的，再看一下，文章的投稿记录，果然如此！

同一天投稿，同一天接受，同一天发表！

不同的团队，同时进行实验验证，这实在是科学研究中的佳话！

文献信息

1. Yue et al., High ambipolar mobility in cubic boron arsenide revealed by transient reflectivity microscopy. Science 377, 433-436 (2022)

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abn4727#con12

2. Shin et al., High ambipolar mobility in cubic boron arsenide. Science 377, 437-440 (2022).

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abn4290#con17

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