黄富强/黄健/方裕强AFM:用于稳定钾储存的 1T''' MoS2 均质插层化学和超低应变

黄富强/黄健/方裕强AFM:用于稳定钾储存的 1T''' MoS2 均质插层化学和超低应变
插层负极由于具有良好的层状结构,其循环性能通常优于锂或钠储存的合金负极和转化负极。然而,对于更大的钾调节,这些插层负极通常经历巨大的层膨胀和结构扭曲,导致严重的容量衰退。
黄富强/黄健/方裕强AFM:用于稳定钾储存的 1T''' MoS2 均质插层化学和超低应变
在此,中国科学院上海硅酸盐研究所黄富强研究员、黄健研究员以及方裕强等人发现1T”’ MoS2(从1T MoS2扭曲而来) 在层中具有角共享Mo3三角三聚体,表现出比2H MoS2更短的Mo-Mo距离,这确保了快速电子转移和均匀的K+嵌入。
此外,1T”’ MoS2的褶S层提供了不同的活性位点,部分不可分离的K+被认为是一个支柱,以削弱界面应变,实现保持层状结构。
通过原位表征和DFT计算证明了嵌入的K+均匀地分布在层间,并诱导从1T”’ MoS2到1T’ MoS2的相变,检测到3.5%的超低层膨胀率(在K+脱出后)。
结果显示,1T”’ MoS2在0.2C时表现出125mAhg-1的容量,并且1C的条件下500次循环后没有容量衰减。此外,将其用作钾双离子电池 (KDIB)的负极时,1T”’ MoS2实现了40 mAhg-1的容量,250个周期后具有98%容量保持率。
黄富强/黄健/方裕强AFM:用于稳定钾储存的 1T''' MoS2 均质插层化学和超低应变
图1. 电池性能
总之,该工作通过理论和实验研究揭示了1T”’ MoS2中自适应的金属Mo-Mo键和褶S层,导致了电子的快速传递和K+的均匀嵌入,而且不可逆嵌入的K+导致循环过程中的微小的层膨胀和结构应变。电化学性能测试结果表明,0.2C时1T”’ MoS2的容量为125 mAhg-1,在1C下循环500次后没有容量衰减。
此外,组装的1T”’ MoS2//MCMB K-DIB全电池在250次循环后表现出98%的优异容量保留率。这项工作提供一个新型的插层负极和稳定钾离子存储的设计策略。
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图2. DFT计算
Homogeneous Intercalation Chemistry and Ultralow Strain of 1T’’’ MoS2 for Stable Potassium Storage, Advanced Functional Materials 2023 DOI: 10.1002/adfm.202306550

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