郭玉国/殷雅侠/张千玉Angew.:从缓解电子泄漏的角度抑制SEI的生长

深入研究抑制SEI生长的机制

郭玉国/殷雅侠/张千玉Angew.:从缓解电子泄漏的角度抑制SEI的生长

界面稳定性对钠离子电池(SIBs)的寿命和安全性有很大责任。然而,持续的固体-电解质界面(SEI)增长会使其稳定性恶化。从本质上讲,SEI的增长与电子泄漏行为有关,但从缓解电子泄漏的角度来看,很少有人试图抑制SEI的增长。

中科院化学所郭玉国、殷雅侠、四川大学张千玉等从缓解电子泄漏的角度,对抑制SEI生长的机制进行了深入研究。

郭玉国/殷雅侠/张千玉Angew.:从缓解电子泄漏的角度抑制SEI的生长

图1. 电子转移的能量图和不同SEI生长的电子泄漏程度图

具体而言,作者通过氟代碳酸乙烯酯(FEC)和三(三甲基硅基)亚磷酸酯(TMSPi)添加剂,分别建立了两个具有不同生长行为的SEI层,以揭示电子泄漏如何影响SEI的生长。

研究显示,与密集生长的厚而粗糙的FEC衍生SEI(厚度~90 nm)相比,薄而均匀的TMSPi衍生SEI即使在100次循环后也没有明显的生长(厚度~30 nm)。

TMSPi衍生的SEI层的成分信息在两个方面显示出优势:i)不利的NaF-Na2CO3、NanPOxFy共存物种在外层聚集的明显缓解;ii)在整个SEI中产生丰富的SiOxFy物种。

郭玉国/殷雅侠/张千玉Angew.:从缓解电子泄漏的角度抑制SEI的生长

图2. SEI分析

得益于上述SEI特征,TMSPi衍生的SEI根据所研究的电子特性(高LUMO能级、大带隙和高电子功函数)实现了电子驱动力和高电子绝缘能力。因此,抑制了电子泄漏行为,并且抑制了SEI的连续增长。

最后,具有减轻的电子泄漏的SEI层还改善了实际电化学行为,这不仅减少了长期循环过程中的Na+离子消耗,还确保了稳定的Na+转移,以抵抗可变的界面环境。作者相信,这项工作将扩展对SEI生长的基本理解,并为具有稳定SEI层的长寿命SIB的电解液设计提供指导。

郭玉国/殷雅侠/张千玉Angew.:从缓解电子泄漏的角度抑制SEI的生长

图3. 采用不同添加剂电解液的电池性能

Mitigating Electron Leakage of Solid Electrolyte Interface for Stable Sodium-Ion Batteries. Angewandte Chemie International Edition 2022. DOI: 10.1002/anie.202216354

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